型号: FDP032N08B_F102
功能描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08B_F102, 211 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 211 A
最大漏源电压： 80 V
最大漏源电阻值： 3.3 m0hms
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 263 W
高度： 15.215mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.36 x 4.672 x 15.215mm
宽度： 4.672mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 111 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 8245 pF @ 40 V
典型关断延迟时间： 71 ns
典型接通延迟时间： 38 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 10.36mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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