型号: FDP060AN08A0_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0048 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 38 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 255 W
上升时间: 79 ns
典型关闭延迟时间: 37 ns
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：陈先生
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Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：吴勇军
电话：18344483665
Q Q:
联系人：周泽龙
电话：17318032907
Q Q:
联系人：朱培键
Q Q:
