型号: FDP060AN08A0_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0048 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 38 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 255 W
上升时间: 79 ns
典型关闭延迟时间: 37 ns
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：郑希明
电话：13372347927
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13532530515
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13532099029
Q Q:
