型号:  FDP10N60NZ

功能描述:  MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  640 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  23 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  185 W

配置:  Single

商标名:  UniFET

封装:  Tube

高度:  16.3 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FDP10N60NZ

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  14 S

下降时间:  50 nS

产品类型:  MOSFET

上升时间:  50 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  70 nS

典型接通延迟时间:  25 nS

单位重量:  1.800 g