FDP150N10A_F102规格参数_FDP150N10A_F102全国代理商/分销商

型号: FDP150N10A_F102
功能描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 50 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 15 m0hms
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 91 W
高度： 15.215mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.36 x 4.672 x 15.215mm
宽度： 4.672mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 16.2 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1080 pF@ 50 V
典型关断延迟时间： 21 ns
典型接通延迟时间： 13 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 10.36mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs