型号: FDP2670_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.13 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 23 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 24 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 93 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 26 ns
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Q Q:
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