型号: FDP2670_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.13 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 23 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 24 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 93 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 26 ns
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：陈经理
电话：13381306183
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：郑涛
电话：13924625921
Q Q:
联系人：苏松冲
电话：15999626321
Q Q:
联系人：罗先生
电话：18575507915
Q Q:
