型号: FDP3652_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 61 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.014 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 85 ns
典型关闭延迟时间: 26 ns
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
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Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：苏辉忠
电话：13923426865
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：沈绪根
电话：18148590336
Q Q:
