型号: FDP6035AL_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 48 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0125 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 52 W
上升时间: 12 ns
典型关闭延迟时间: 29 ns
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：谢家伟
电话：13628480933
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13590379292
Q Q:
