型号: FDP6035AL_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 48 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0125 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 52 W
上升时间: 12 ns
典型关闭延迟时间: 29 ns
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：蔡永记
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Q Q:
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Q Q:
联系人：麦逸芬
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联系人：陈亮明
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联系人：张女士，曾先生
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Q Q:
