型号: FDP6670S
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 0.041 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0085 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 35 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 39 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：向翱
电话：15366223933
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：朱筱筱
电话：15013881543
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
