型号: FDP8D5N10C
功能描述: MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 68 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
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