型号:  FDPF2D3N10C

功能描述:  MOSFET PTNG N-CH 100V/120V

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220F-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  222 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  152 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  45 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  FDPF2D3N10C

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  222 S

下降时间:  32 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  74 ns

典型接通延迟时间:  42 ns

单位重量:  2.270 g