型号:  FDPF4N60NZ

功能描述:  MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220FP-3

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  8.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  28 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  UniFET

封装:  Tube

高度:  16.07 mm

长度:  10.36 mm

产品:  MOSFET

系列:  FDPF4N60NZ

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  4.9 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  3.3 S

下降时间:  12.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15.1 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30.2 ns

典型接通延迟时间:  12.7 ns

单位重量:  2.270 g