型号: FDR842P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.009 Ohms
配置: Single Quint Drain Dual Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
下降时间: 20 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 56 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.8 W
上升时间: 20 ns
典型关闭延迟时间: 201 ns
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：韩小姐
电话：13715217880
Q Q:
联系人：方小姐
电话：13418730030
Q Q:
联系人：杨R
电话：18923785673
Q Q:
