型号: FDS3672_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 7.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.019 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 27 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 20 ns
典型关闭延迟时间: 37 ns
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：陈楠
电话：18025360035
Q Q:
联系人：曾世钦
电话：15973501778
Q Q:
联系人：蒋生
电话：13265547619
Q Q:
