型号: FDS6670A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 13 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.008 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 13 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 55 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 13 ns
典型关闭延迟时间: 40 ns
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：陈崇欣
电话：13632608345
Q Q:
联系人：陈
电话：13418552622
Q Q:
联系人：张仲然
电话：13128874365
Q Q:
