型号: FDS6685_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 25 V
漏极连续电流: - 8.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.02 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 25 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 24 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 13.5 ns
典型关闭延迟时间: 42 ns
联系人：曾凯
电话：13312958426
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：许小姐
电话：15013642608
Q Q:
联系人：小郭
电话：13686402586
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13528411877
Q Q:
