型号: FDS6694_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0091 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 50 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 6 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：闻经理
电话：18662156627
Q Q:
联系人：刘晓亮
电话：13164778377
Q Q:
联系人：林中明
Q Q:
