型号: FDS6982AS_G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.3A，8.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 28 毫欧 @ 6.3A，10V，13.5 毫欧 @ 8.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA，3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9nC @ 5V，16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 610pF @ 10V，1250pF @ 10V
功率 - 最大值： 900mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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