型号: FDS6986AS_SN00192
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6.5A,7.9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 29 毫欧 @ 6.5A,10V,20 毫欧 @ 7.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA,3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC @ 5V,8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 720pF @ 10V,550pF @ 10V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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