型号: FDS7779Z
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 98nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3800pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7.2 毫欧 @ 16A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：邓先生，李先生，雷先生，陈女士
电话：13143221770
Q Q:
联系人：罗小姐
电话：13724356030
Q Q:
联系人：刘小姐，陈先生
电话：13260236838
Q Q:
