型号: FDS8449_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8449_F085, 7.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
制造商: Fairchild Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7.6 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 43 m0hms
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOIC
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 8
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 2.5 W
高度： 1.575mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 4.9 x 3.9 x 1.575mm
宽度： 3.9mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 7.7 nC @ 5 V
典型输入电容值@Vds： 760 pF @ 20 V
典型关断延迟时间： 23 ns
典型接通延迟时间： 9 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 4.9mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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