型号: FDT434P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.05 Ohms
配置: Single Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223
封装: Reel
下降时间: 30 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 6.5 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3 W
上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 45 ns
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：先生
Q Q:
联系人：罗新华
电话：18200906026
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13266825878
Q Q:
