型号:  FDT86246L

功能描述:  MOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  150 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  452 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  4.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.8 mm

长度:  6.5 mm

系列:  FDT86246L

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  7.3 S

下降时间:  2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.3 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns

单位重量:  112 mg