型号: FDU6612A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 30 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.02 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK
封装: Tube
下降时间: 4 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 28 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.8 W
上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 24 ns
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：孙先生
电话：15724854179
Q Q:
联系人：黄俊
电话：13580551254
Q Q:
联系人：任工
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Q Q:
