型号: FDV302P_NB8V001
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 11pF @ 10V
功率 - 最大值： 350mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23
其它名称： FDV302P_NB8V001-NDFDV302P_NB8V001TRFDV302PNB8V001
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