型号: FDW262P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.047 Ohms
配置: Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
封装: Reel
下降时间: 9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 16 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.3 W
上升时间: 9 ns
典型关闭延迟时间: 36 ns
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13534085766
Q Q:
联系人：陈俊光
电话：18824233355
Q Q:
