型号: FDZ2551N
功能描述: MOSFET USE 512-FDZ2553N Common Drain
制造商: Fairc 2000 hild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 9 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-18
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Dual Common Drain
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 11 ns
系列: FDZ2551N
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
联系人：苏
电话：13534012217
Q Q:
联系人：刘志洪
电话：13906705608
Q Q:
