型号: FF100R12RT4HOSA1
功能描述: MEDIUM POWER 34MM
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟槽型场截止
配置： 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100A
功率 - 最大值： 555W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.15V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）： 630nF
电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce： 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
工作温度： -40°C ~ 150°C
安装类型： 底座安装
封装/外壳： AG-34MM-1
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：赵耀
电话：13572203776
Q Q:
联系人：寒冰
Q Q:
联系人：连先生
电话：13714911460
Q Q:
