型号: FF100R12RT4HOSA1
功能描述: MEDIUM POWER 34MM
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟槽型场截止
配置： 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100A
功率 - 最大值： 555W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.15V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）： 630nF
电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce： 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
工作温度： -40°C ~ 150°C
安装类型： 底座安装
封装/外壳： AG-34MM-1
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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