型号: FF1200R17KE3_B2
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1700 A
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
ROHS： 含铅
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