型号: FF150R12RT4HOSA1
功能描述: 1200V 150A Dual IGBT module
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟槽型场截止
配置： 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150A
功率 - 最大值： 790W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.15V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： AG-34MM-1
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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