型号: FF200R12KT4HOSA1
功能描述: 1200V 200A Dual IGBT Module
制造商: Infineon Technologies
系列： C
IGBT类型： 沟槽型场截止
配置： 半桥
电压-集射极击穿（最大值）： 1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 320A
功率-最大值： 1100W
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）： 2.15V @ 15V，200A
电流-集电极截止（最大值）： 5mA
不同 Vce时的输入电容（Cies）： 14nF @ 25V
输入： 标准
NTC热敏电阻： 无
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： AG-62MM-1
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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