型号: FF225R12ME4
功能描述: IGBT 模块 IGBT 1200V 225A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 225 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1050 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF225R12ME4BOSA1 SP000405064
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：张泽民
电话：13640913839
Q Q:
联系人：纪先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
联系人：陈诺
电话：15807001902
Q Q:
