型号: FF401R17KF6C_B2
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.7KV 650A
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 2.6 V
在25 C的连续集电极电流： 650 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 3.1 kW
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
工厂包装数量： 4
ROHS： 含铅
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