型号:  FF450R12KE4HOSA1

功能描述:  Infineon FF450R12KE4HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 520 A, Vce=1200 V AG-62MM-1封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

配置：  半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  520A

功率 - 最大值：  2400W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.15V @ 15V，450A

电流 - 集电极截止（最大值）：  5mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：  28nF @ 25V

输入：  标准

NTC 热敏电阻：  无

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  底座安装

封装/外壳：  AG-62MM-1

供应商器件封装：  模块

配置：  串行

最大连续集电极电流：  520 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

通道类型：  N

安装类型：  面板安装

封装类型：  AG-62MM-1

最大功率耗散：  2.4 kW

尺寸：  106.4 x 61.4 x 30.9mm

高度：  30.9mm

长度：  106.4mm

最高工作温度：  +150 °C

宽度：  61.4mm

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs