型号: FGA50S110P
功能描述: IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PN
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1100 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 300 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGA50S110P
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.401 g
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