型号: FGAF40N60SMD
功能描述: IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PF
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 79 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGAF40N60SMD
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 360
子类别: IGBTs
单位重量: 7 g
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18079208564
Q Q:
联系人：岑小姐
电话：13549236572
Q Q:
联系人：小赵
电话：13206957829
Q Q:
