型号: FGB30N6S2T
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 108A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.5V @ 15V，12A
功率 - 最大值： 167W
开关能量： 55µJ（开），110µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 23nC
25°C 时 Td（开/关）值： 6ns/40ns
测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263AB
其它名称： FGB30N6S2T_NLFGB30N6S2T_NLTRFGB30N6S2T_NLTR-NDFGB30N6S2TTR
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