型号: FGD3N60LSDTM-T
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 25A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 1.5V @ 10V，3A
功率 - 最大值: 40W
开关能量: 250µJ（开），1mJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 12.5nC
25°C 时 Td（开/关）值: 40ns/600ns
测试条件: 480V，3A，470 欧姆，10V
反向恢复时间（trr）: 234ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
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