型号: FGD3N60LSDTM-T
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 25A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 1.5V @ 10V，3A
功率 - 最大值: 40W
开关能量: 250µJ（开），1mJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 12.5nC
25°C 时 Td（开/关）值: 40ns/600ns
测试条件: 480V，3A，470 欧姆，10V
反向恢复时间（trr）: 234ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：wendy
电话：4008866903
Q Q:
联系人：刘德清
电话：13394057292
Q Q:
联系人：张川
电话：15994702492
Q Q:
