型号: FGH30N60LSDTU
功能描述: IGBT 晶体管 PDD
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGH30N60LSD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
宽度: 4.82 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.390 g
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