型号: FGH60T65SQD-F155
功能描述: IGBT 晶体管 650V 60A FS4 TRENCH
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 333 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：黄思维
电话：15915374071
Q Q:
联系人：段林洋
电话：13410549683
Q Q:
联系人：张瑞萍
电话：13313850116
Q Q:
