型号: FGH75T65SQDT_F155
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 300A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值: 375W
开关能量: 300µJ(开),70µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 128nC
25°C 时 Td(开/关)值: 23ns/120ns
测试条件: 400V,18.8A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 76ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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