型号: FGL35N120FTDTU
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 25
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 105A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.2V @ 15V,35A
功率 - 最大值: 368W
开关能量: 2.5mJ(开), 1.7mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 210nC
25°C 时 Td(开/关)值: 34ns/172ns
测试条件: 600V,35A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 337ns
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264
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