型号: FGL35N120FTDTU
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 25
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 105A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值： 368W
开关能量： 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 210nC
25°C 时 Td（开/关）值： 34ns/172ns
测试条件： 600V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 337ns
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-264
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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Q Q:
