型号: FGP5N60LS
功能描述: IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 10 A
Pd-功率耗散: 83 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
系列: FGP5N60LS
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 800
子类别: IGBTs
单位重量: 1.800 g
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