型号: FGY75T120SQDN
功能描述: IGBT 晶体管 IGBT 1200V 75A UFS
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
Pd-功率耗散: 790 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：卢谢丽
电话：13923881587
Q Q:
联系人：张志明
电话：13751502497
Q Q:
联系人：白阳
Q Q:
