型号: FHU4N65B
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
制造商: FeiHong(飞虹)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 75W(Tc)
类型: N沟道
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