型号: FIR4N65FG
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
制造商: FIRST(福斯特)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 30W(Tc)
类型: N沟道
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘丹丽
电话：13808072722
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：15811826553
Q Q:
联系人：耿彪
电话：010-83276320
Q Q:
