型号:  FJN4309RTA

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  PNP

典型输入电阻器:  4.7 kOhms

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3 Kinked Lead

直流集电极/Base Gain hfe Min:  100

集电极—发射极最大电压 VCEO:  40 V

集电极连续电流:  - 0.1 A

峰值直流集电极电流:  100 mA

Pd-功率耗散:  300 mW

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  FJN4309R

封装:  Ammo Pack

直流电流增益 hFE 最大值:  600

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

高度:  5.33 mm

长度:  5.2 mm

类型:  PNP Epitaxial Silicon Transistor

宽度:  4.19 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:  2000

子类别:  Transistors

单位重量:  240 mg