型号: FJP3307DH1TU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
最大直流电集电极电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Bulk
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 80000 mW
工厂包装数量: 200
零件号别名: FJP3307DH1TU_NL
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