型号: FMBL1G200US60
功能描述: IGBT 模块
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild b28 Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 7PM-BB
商标: Fairchild Semiconductor
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
Pd-功率耗散: 830 W
系列: FMBL1G200US60
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