FMW30N60S1HF规格参数_FMW30N60S1HF全国代理商/分销商

型号: FMW30N60S1HF
功能描述: Fuji Electric Super J-MOS 系列 Si N沟道 MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: Fuji Electric
通道类型： N
最大连续漏极电流： 30 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 125 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 220 W
典型栅极电荷@Vgs： 73 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2200 pF @ 10 V
典型关断延迟时间： 136 ns
典型接通延迟时间： 57 ns
系列： Super J-MOS
高度： 20.95mm
长度： 15.9mm
尺寸： 15.9 x 5.03 x 20.95mm
每片芯片元件数目： 1
晶体管材料： Si
最高工作温度： +150 °C
宽度： 5.03mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs