型号: FP10R12KE3
功能描述: IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 20 mW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 20
子类别: IGBTs
零件号别名: FP10R12KE3BOMA1 SP000100274
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